米兰-新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍
2026-05-24 03:47:00
近日，据《科技日报》报导，美国佐治亚理工学院电气与计较机工程学院Asif Khan团队公布，乐成研制出基在氧化铪铁电质料的新型NAND闪存。该产物兼具AI高效处置惩罚与太空极度辐射耐受能力，抗辐射机能达传统NAND闪存的30倍，相干结果已经在5月18日发表在美国化学会《纳米快报》（Nano Letters）杂志。
传统NAND闪存依靠电荷捕捉存储数据，太空情况中的高能粒子辐射易致使电荷流掉，激发数据毁坏，凡是于3万拉德辐射剂量下即掉效，难以满意深空探测与太空AI使命需求。这次研发的新型铁电NAND闪存，焦点冲破于在采用与硅工艺彻底兼容的氧化铪（HZO）铁电质料，使用其自觉极化和电场可控翻转特征存储数据，从底层道理上规避了电荷辐射敏感问题。
测试数据显示，这款铁电NAND闪存可蒙受**100万拉德**的辐射接收剂量，相称在1亿次医用X射线照射，是传统存储器辐射耐受性的30倍。该指标已经笼罩近地轨道、月球探测和木星以远深空使命的辐射情况要求，可支撑NASA欧罗巴快船等深空探测项目的持久不变运行。同时，其铁电存储机制具有低功耗、高读写速率上风，可高效适配AI推理与数据处置惩罚需求，为太空边沿计较提供存储支撑。
项目卖力人Asif Khan暗示，铁电NAND闪存的焦点价值于在“存储+抗辐射+AI适配”三重能力集成。差别在传统辐射加固方案的高成本与机能损耗，该技能基在现有硅工艺线便可量产，兼具成本与范围化上风。依附氧化铪铁电层与硅基底的兼容性，将来可实现3D重叠，支撑更高容量存储需求，适配卫星星上处置惩罚、深空探测器、太空AI办事器等场景。
-米兰
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